中国工程院院士丁荣军:第三代半导体技术将来十年复合增速将超20% 当前热讯

[休闲] 时间:2025-07-04 09:15:04 来源:TMGM新知网 作者:休闲 点击:176次


(资料图)

上证报记者俞立严摄

中国工程院院士丁荣军:第三代半导体技术将来十年复合增速将超20% 当前热讯

上证报中国证券网讯(记者俞立严)6月29日,在浙江瑞安召开的2023国际新资源智慧网联汽车创新生态大会上,中国工程院院士丁荣军表示,tmgm外汇官方网站网址以碳化硅为代表的第三代半导体技术(包括Si-IGBT与SiC二极管相结合的技术)已经开展获得软件  ,并具有很大的TMGM外汇平台MT4教程性能及市场潜力,将在将来十年获得高达年复合20%以上的快速上升。

丁荣军表示,在电动汽车的软件驱动、性价比权衡 、支出惯性等因素作用下 ,福汇官网将来十年Si-IGBT仍将是功率半导体器件的主流  ,并将与碳化硅功率器件长期并存  。

丁荣军预测,随着硅基资料逐渐逼近其物理极限,功率半导体将朝着更高的禁带宽度、热导率和资料平稳性等方向推动 ,功率器件技术演进将助力新资源汽车向高性能、充电快 、长续航等方向推动。

(素材出处:上海证券报·中国证券网)

标签:

福汇外汇代理

(责任编辑:探索)

    相关内容
    精彩推荐
    热门点击
    友情链接